BALLESTER BERMAN, JOSEP DAVID / MARTÍNEZ MARÍN, TOMÁS
Pròleg.
1. Conceptes bàsics.
2. Components passius.
2.1. Introducció.
2.2. Resistències lineals.
2.2.1. Resistències lineals fixes.
2.2.2. Resistències lineals variables.
2.3. Resistències no lineals.
2.4. Condensadors.
2.4.1. Comportament en règim de corrent continu.
2.4.2. Comportament en règim de corrent altern.
2.5. Bobines.
2.6. Aplicacions.
3. El d´iode. La unió p-n.
3.1. Introducció.
3.2. Materials semiconductors.
3.2.1. Conducció mitjan¸cant generació-recombinació.
3.2.2. Dopatge del semiconductor.
3.3. La unió p-n.
3.4. Polarització de la unió p-n.
3.4.1. Polarització directa.
3.4.2. Polarització inversa.
3.5. El d´iode semiconductor.
3.5.1. Característica tensió-corrent (I-V) del d´iode.
3.5.2. Models equivalents del d´iode de rectificació.
3.6. Aplicacions del d´iode de rectificació.
3.7. El d´iode Zener.
3.7.1. Models equivalents del d´iode Zener.
3.7.2. El d´iode Zener com a regulador de tensió.
3.8. Altres tipus de d'iodes.
4. El transistor bipolar (BJT) 105.
4.1. Introducció.
4.2. Fonaments f´isics del transistor bipolar. Estructura bàsica.
4.2.1. Modes de funcionament.
4.3. Corbes caracter´istiques estàtiques. Regions de funcionament.
4.4. Polarització del transistor BJT.
4.4.1. Càlcul del punt de funcionament del transistor BJT.
4.5. Circuits amplificadors monoetapa amb transistor BJT.
4.5.1. Model en petit senyal del BJT.
4.5.2. Anàlisi d'un amplificador monoetapa amb BJT.
5. El transistor d'efecte de camp (FET).
5.1. Introducció).
5.2. Fonaments f´isics del transistor d'efecte de camp. Estructura bàsica.
5.3. Corbes caracter´istiques estàtiques. Polarització del FET).
5.4. Model en petit senyal del FET).
A. Nombres complexos.
B. Mètodes sistemàtics d'anàlisi de circuits.
B.1 Mètode de les tensions de nus.
B.2. Mètode dels corrents de malla.
B.3. Exemple.
C. Receptor AM bàsic.
D. Transmissió de senyals. Evolució històrica.
Bibliografia.
Aquest text és el resultat de la impartició de la matèria d?electrònica bàsica durant cinc anys en la titulació d?Enginyeria de Telecomunicació, especialitat So i Imatge, de la Universitat d'Alacant. En particular, s'ha fet un esforç de selecció de continguts teòrics, i se n'han eliminat alguns amb menys càrrega conceptual, per tal d'ampliar les propostes d?aplicacions pràctiques i circuits associats a situacions reals amb la finalitat de motivar l'alumnat. Amb aquest objectiu s'ha utilitzat una estructura d?exemples i problemes amb tres nivells de profunditat: resolts, proposats i d?ampliació de coneixements. Primerament s?introdueixen els conceptes físics bàsics relacionats amb l?electrònica i es tracta la caracterització dels components passius fonamentals. Tot seguit s?aborda l?estudi de la física del semiconductor i diversos dispositius actius com són els díodes i els transistors BJT i FET.
